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參數(shù)資料
| 型號： | M29DW128F60NF6 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位（16Mb的x8或和8Mb x16插槽，多行，頁，引導(dǎo)塊）3V電源，快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 53/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 719K |
| 代理商： | M29DW128F60NF6 |
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M29DW128F
10 DC and AC parameters
53/93
Table 24.
Device Capacitance
Table 25.
DC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
(1)
1.
Sampled only, not 100% tested.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±1
μ
A
I
CC1(1)
1.
In Dual operations the Supply Current will be the sum of I
CC1
(read) and I
CC3
(program/erase).
Sampled only, not 100% tested.
Supply Current (Read)
E = V
IL
, G = V
IH
,
f = 6MHz
10
mA
I
CC2
Supply Current (Standby)
E = V
CC
±0.2V,
RP = V
CC
±0.2V
100
μ
A
I
CC3(1)(2)
2.
Supply Current (Program/
Erase)
Program/Erase
Controller active
V
PP
/WP =
V
IL
or V
IH
20
mA
V
PP
/WP =
V
PPH
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7V
CC
V
CC
+0.3
V
V
PPH
Voltage for
V
PP
/WP
Program
Acceleration
V
CC
= 2.7V ±10%
11.5
12.5
V
I
PP
Current for
V
PP
/WP
Program
Acceleration
V
CC
=2.7V ±10%
15
mA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.8mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100
μ
A
V
CC
–0.4
V
V
ID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
V
LKO
Program/Erase Lockout
Supply Voltage
1.8
2.3
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29DW128F60NF6E | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60NF6F | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60NF6T | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA1 | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA1E | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29DW128F60NF6E | 功能描述:閃存 128 Mbit RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29DW128F60NF6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60NF6T | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA1E | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
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