參數(shù)資料
型號： M28W160ECB70ZB6F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述： 16兆位（1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 23/50頁
文件大?。?/td> 860K
代理商： M28W160ECB70ZB6F
23/50
M28W160ECT, M28W160ECB
Figure 9. Read Mode AC Waveforms
Table 15. Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. G may be delayed by up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of E without increasing t
ELQV
.
Symbol
Alt
Parameter
M28W160EC
Unit
70
85
90
100
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
Min
70
85
90
100
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
Max
70
85
90
100
ns
t
AXQX
(1)
t
OH
Address Transition to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
EHQX
(1)
t
OH
Chip Enable High to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
Max
20
20
25
30
ns
t
ELQV
(2)
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
Max
70
85
90
100
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
GHQX
(1)
t
OH
Output Enable High to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
Max
20
20
25
30
ns
t
GLQV
(2)
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
Max
20
20
30
35
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
DQ0-DQ15
AI03813b
VALID
A0-A19
E
tAXQX
tAVAV
VALID
tAVQV
tELQV
tELQX
tGLQV
tGLQX
ADDR. VALID
CHIP ENABLE
OUTPUTS
ENABLED
DATA VALID
STANDBY
G
tGHQX
tGHQZ
tEHQX
tEHQZ
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PDF描述
M28W160ECB70ZB6S 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECB70ZB6T Trenchmos (tm) logic level FET - Configuration: Single N-channel ; I<sub>D</sub> DC: 75 A; Q<sub>gd</sub> (typ): 22 nC; R<sub>DS(on)</sub>: 3@10V4@5V4.4@4.5V mOhm; Thermal Resistance: 0.59 K/W; V<sub>DS</sub>max: 30 V
M28W160ECB70ZB6U TrenchMOS (tm) logic level FET - Configuration: Single N-channel ; I<sub>D</sub> DC: 75 A; Q<sub>gd</sub> (typ): 56 nC; R<sub>DS(on)</sub>: 4@10V4.4@5V5.9@4.5V mOhm; Thermal Resistance: 0.5 K/W; V<sub>DS</sub>max: 40 V
M28W160ECB85N1E TrenchMOS (tm) logic level FET - Configuration: Single N-channel ; I<sub>D</sub> DC: 75 A; Q<sub>gd</sub> (typ): 50 nC; R<sub>DS(on)</sub>: 5.8@10V6.3@5V6.7@4.5V mOhm; Thermal Resistance: 0.5 K/W; V<sub>DS</sub>max: 55 V
M28W160ECB85N1F 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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M28W160ECB70ZB6U 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16 MBIT (1MB X16, BOOT BLOCK) 3V SUPPLY FLASH MEMORY - Tape and Reel
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