參數(shù)資料
型號： M27128A-4F6
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM
中文描述： NMOS管128K的16K的× 8紫外線存儲器
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 107K
代理商： M27128A-4F6
AI00769B
14
A0-A13
P
Q0-Q7
VPP
VCC
M27128A
G
E
VSS
8
Figure 1. Logic Diagram
M27128A
NMOS 128K (16K x 8) UV EPROM
FAST ACCESS TIME: 200ns
EXTENDED TEMPERATURE RANGE
SINGLE 5 V SUPPLY VOLTAGE
LOW STANDBY CURRENT: 40mA max
TTL COMPATIBLE DURING READ and
PROGRAM
FAST PROGRAMMING ALGORITHM
ELECTRONIC SIGNATURE
PROGRAMMING VOLTAGE: 12V
DESCRIPTION
The M27128A is a 131,072 bit UV erasable and
electrically programmable memory EPROM. It is
organized as 16,384 words by 8 bits.
The M27128A is housed in a 28 Pin Window Ce-
ramic Frit-Seal Dual-in-Line package. The trans-
parent lid allows the user to expose the chip to
ultraviolet light to erase the bit pattern. A new
pattern can then be written to the device by follow-
ing the programming procedure.
A0 - A13
Address Inputs
Q0 - Q7
Data Outputs
E
Chip Enable
G
Output Enable
P
Program
V
PP
Program Supply
V
CC
Supply Voltage
V
SS
Ground
Table 1. Signal Names
1
28
FDIP28W (F)
March 1995
1/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M27128AF1 NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM
M27128A AVDVANCED 64K (8K x 8) UV ERASABLE PROM
M2732A NMOS 32K (4K x 8) UV EPROM(NMOS 32K紫外線擦除EPROM)
M27512 NMOS 512K (64K x 8) UV EPROM(NMOS 512K紫外線擦除EPROM)
M2764A NMOS 64K (8K x 8) UV EPROM(NMOS 64K紫外線擦除EPROM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M27128AF1 功能描述:可擦除可編程ROM DISC BY STM 6/01 DIP-28 16KX8 250NS RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 類型: 存儲容量:1024 bit 組織:1 K x 1 接口類型: 工作電流:5 uA 編程電壓: 工作電源電壓:2.8 V to 6 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-92
M27128AF6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
M27128AFI 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
M2716 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16K (2K x 8) UV ERASABLE PROM
M2716F1 制造商:STMicroelectronics 功能描述:EPROM, 2K x 8, 24 Pin, Ceramic, DIP
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