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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M25P80VMN6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 23/34頁 |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | M25P80VMN6T |
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M25P05-A
Table 7. Power-Up Timing and V
WI
Threshold
Symbol
Note: 1. These parameters are characterized only.
INITIAL DELIVERY STATE
The device is delivered with the memory array
erased: all bits are set to 1 (each byte contains
FFh). The Status Register contains 00h (all Status
Register bits are 0).
Parameter
Min.
Max.
Unit
t
VSL1
V
CC
(min) to S low
10
μs
t
PUW1
Time delay to Write instruction
1
10
ms
V
WI1
Write Inhibit Voltage
1
2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25P32 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE10-VMN6G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE20-VMP6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE10-VMN6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25P80-VMN6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 25 MHz SPI Bus Interface |
| M25P80VMN6TG | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
| M25P80-VMN6TG | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:8 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interface |
| M25P80VMN6TP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
| M25P80-VMN6TP | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Forté™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
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