- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383292 > M25P40-VMP6T (意法半導(dǎo)體) 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M25P40-VMP6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 33/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 232K |
| 代理商： | M25P40-VMP6T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁當(dāng)前第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁
33/40
M25P40
Table 18. AC Characteristics (40MHz Operation, Device Grade 6)
Note: 1. t
CH
+ t
CL
must be greater than or equal to 1/ f
C
2. Value guaranteed by characterization, not 100% tested in production.
3. Expressed as a slew-rate.
4. Only applicable as a constraint for a WRSR instruction when SRWD is set at 1.
5. Details of how to find the date of marking are given in Application Note,
AN1995
.
40MHz available for products marked since week 20 of 2004, only
5
Test conditions specified in
Table 9.
and
Table 16.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
f
C
f
C
Clock Frequency for the following instructions:
FAST_READ, PP SE, BE, DP RES,
WREN, WRDI, RDSR, WRSR
D.C.
40
MHz
f
R
Clock Frequency for READ instructions
D.C.
20
MHz
t
CH 1
t
CLH
Clock High Time
11
ns
t
CL 1
t
CLL
Clock Low Time
11
ns
t
CLCH 2
Clock Rise Time
3
(peak to peak)
0.1
V/ns
t
CHCL 2
Clock Fall Time
3
(peak to peak)
0.1
V/ns
t
SLCH
t
CSS
S Active Setup Time (relative to C)
5
ns
t
CHSL
S Not Active Hold Time (relative to C)
5
ns
t
DVCH
t
DSU
Data In Setup Time
2
ns
t
CHDX
t
DH
Data In Hold Time
5
ns
t
CHSH
S Active Hold Time (relative to C)
5
ns
t
SHCH
S Not Active Setup Time (relative to C)
5
ns
t
SHSL
t
CSH
S Deselect Time
100
ns
t
SHQZ 2
t
DIS
Output Disable Time
9
ns
t
CLQV
t
V
Clock Low to Output Valid
9
ns
t
CLQX
t
HO
Output Hold Time
0
ns
t
HLCH
HOLD Setup Time (relative to C)
5
ns
t
CHHH
HOLD Hold Time (relative to C)
5
ns
t
HHCH
HOLD Setup Time (relative to C)
5
ns
t
CHHL
HOLD Hold Time (relative to C)
5
ns
t
HHQX 2
t
LZ
HOLD to Output Low-Z
9
ns
t
HLQZ 2
t
HZ
HOLD to Output High-Z
9
ns
t
WHSL 4
Write Protect Setup Time
20
ns
t
SHWL 4
Write Protect Hold Time
100
ns
t
DP 2
S High to Deep Power-down Mode
3
μ
s
t
RES1 2
S High to Standby Mode without Electronic
Signature Read
3
μ
s
t
RES2 2
S High to Standby Mode with Electronic
Signature Read
1.8
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25P40-VMP6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMP6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25SI | Thin Film, Rectangular, Fusible, Resistor Chips |
| M27256-F1 | NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM |
| M27256-F6 | NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25P40VMP6TG | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
| M25P40-VMP6TG | 功能描述:閃存 4M (512Kx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M25P40-VMP6TG/TS | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 50MHZ 8VFQFPN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| M25P40-VMP6TG/X | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface |
| M25P40-VMP6TGB | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 4Mbit 512K x 8bit 8ns 8-Pin VFQFPN EP T/R 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:4MBIT SPI NOR FLASH 制造商:Micron Technology 功能描述:NOR Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 4Mbit 512K x 8bit 8ns 8-Pin VFQFPN EP T/R |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。