參數(shù)資料
型號： M25P40-VMP6T
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： DRAM
英文描述： 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
中文描述： 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存
文件頁數(shù)： 31/40頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： M25P40-VMP6T
31/40
M25P40
Table 14. Instruction Times (Device Grade 6)
Table 15. Instruction Times (Device Grade 3)
Note: 1. At 85°C
2. This is preliminary data
Table 16. AC Measurement Conditions
Note: Output Hi-Z is defined as the point where data out is no longer driven.
Figure 21. AC Measurement I/O Waveform
Test conditions specified in
Table 9.
and
Table 16.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
W
Write Status Register Cycle Time
5
15
ms
t
PP
Page Program Cycle Time
1.4
5
ms
t
SE
Sector Erase Cycle Time
1
3
s
t
BE
Bulk Erase Cycle Time
4.5
10
s
Test conditions specified in
Table 9.
and
Table 16.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
1,2
Max.
2
Unit
t
W
Write Status Register Cycle Time
8
15
ms
t
PP
Page Program Cycle Time
1.5
5
ms
t
SE
Sector Erase Cycle Time
1
3
s
t
BE
Bulk Erase Cycle Time
4.5
10
s
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
C
L
Load Capacitance
30
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Voltages
0.2V
CC
to 0.8V
CC
V
Input Timing Reference Voltages
0.3V
CC
to 0.7V
CC
V
Output Timing Reference Voltages
V
CC
/ 2
V
AI07455
0.8VCC
0.2VCC
0.7VCC
0.5VCC
0.3VCC
Input and Output
Timing Reference Levels
Input Levels
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M25P40-VMP6TG 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25P40-VMP6TP 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
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M27256-F1 NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM
M27256-F6 NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM
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參數(shù)描述
M25P40VMP6TG 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface
M25P40-VMP6TG 功能描述:閃存 4M (512Kx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M25P40-VMP6TG/TS 功能描述:IC FLASH 4MBIT 50MHZ 8VFQFPN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
M25P40-VMP6TG/X 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface
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