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參數(shù)資料
| 型號： | M25P16-VMN3TP |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 43/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 335K |
| 代理商： | M25P16-VMN3TP |
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M25P16
DC and AC parameters
43/55
AC characteristics (25 MHz operation, Grade 3)
(1)
Table 17.
Test conditions specified in
Table 10
and
Table 12
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
f
C
f
C
Clock Frequency for the following instructions:
FAST_READ, PP, SE, BE, DP, RES, WREN,
WRDI, RDSR, WRSR
D.C.
25
MHz
f
R
Clock Frequency for READ instructions
D.C.
20
MHz
t
CH(2)
t
CL(2)
t
CLCH(3)
t
CHCL(3)
t
CLH
Clock High Time
18
ns
t
CLL
Clock Low Time
18
ns
Clock Rise Time
(4)
(peak to peak)
0.1
V/ns
Clock Fall Time
(4)
(peak to peak)
0.1
V/ns
t
SLCH
t
CSS
S Active Setup Time (relative to C)
10
ns
t
CHSL
S Not Active Hold Time (relative to C)
10
ns
t
DVCH
t
DSU
Data In Setup Time
5
ns
t
CHDX
t
DH
Data In Hold Time
5
ns
t
CHSH
S Active Hold Time (relative to C)
10
ns
t
SHCH
S Not Active Setup Time (relative to C)
10
ns
t
SHSL
t
SHQZ(3)
t
CSH
S Deselect Time
100
ns
t
DIS
Output Disable Time
15
ns
t
CLQV
t
V
Clock Low to Output Valid
15
ns
t
CLQX
t
HO
Output Hold Time
0
ns
t
HLCH
HOLD Setup Time (relative to C)
10
ns
t
CHHH
HOLD Hold Time (relative to C)
10
ns
t
HHCH
HOLD Setup Time (relative to C)
10
ns
t
CHHL
t
HHQX(3)
t
HLQZ(3)
t
WHSL(5)
t
SHWL(5)
t
DP(3)
HOLD Hold Time (relative to C)
10
ns
t
LZ
HOLD to Output Low-Z
15
ns
t
HZ
HOLD to Output High-Z
20
ns
Write Protect Setup Time
20
ns
Write Protect Hold Time
100
ns
S High to Deep Power-down Mode
3
μs
t
RES1(3)
S High to Standby Mode without Electronic
Signature Read
3
μs
t
RES2(3)
S High to Standby Mode with Electronic
Signature Read
1.8
μs
t
W(6)
Write Status Register cycle time
1.5
15
ms
t
PP(6)
Page Program cycle time (256 bytes)
0.8
5
ms
Page Program cycle time (n bytes)
int(n/8) × 0.025
(7)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25P16-VMN6G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMN6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMN6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMP3G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMP3P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25P16-VMN3TP/4 | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| M25P16-VMN3TPB | 功能描述:IC SRL FLSH 16MBIT 3V 75MHZ S08N RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| M25P16-VMN3YPB | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE, SERIAL NOR, 16MB - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 16MBIT 75MHZ 8SO |
| M25P16VMN6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
| M25P16-VMN6 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit, serial Flash memory, 75 MHz SPI bus interface |
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