參數(shù)資料
型號(hào): M25P16-VMN3TP
廠商: 意法半導(dǎo)體
元件分類: DRAM
英文描述: 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
中文描述: 4兆位統(tǒng)一部門,串行閃存
文件頁(yè)數(shù): 29/55頁(yè)
文件大?。?/td> 335K
代理商: M25P16-VMN3TP
M25P16
Instructions
29/55
Figure 15.
Page Program (PP) instruction sequence
1.
Address bits A23 to A21 are Don’t Care.
C
D
AI04082B
S
42
41
43 44 45 46 47 48 49 50
52 53 54 55
40
C
D
S
23
2
1
3
4
5
6
7
8
9 10
28 29 30 31 32 33 34 35
22 21
3
2
1
0
36 37 38
Instruction
24-Bit Address
0
7
6
5
4
3
2
0
1
Data Byte 1
39
51
7
6
5
4
3
2
0
1
Data Byte 2
7
6
5
4
3
2
0
1
Data Byte 3
Data Byte 256
2
2
2
2
2
2
2
7
6
5
4
3
2
0
1
2
MSB
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
M25P16-VMN6G 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25P16-VMN6P 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25P16-VMN6TG 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25P16-VMP3G 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25P16-VMP3P 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M25P16-VMN3TP/4 功能描述:IC FLASH 16MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
M25P16-VMN3TPB 功能描述:IC SRL FLSH 16MBIT 3V 75MHZ S08N RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Forté™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤
M25P16-VMN3YPB 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE, SERIAL NOR, 16MB - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 16MBIT 75MHZ 8SO
M25P16VMN6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface
M25P16-VMN6 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit, serial Flash memory, 75 MHz SPI bus interface