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參數(shù)資料
| 型號： | M1A3PE3000L-PQ208 |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 87/162頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 3M 208-PQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 24 |
| 系列： | ProASIC3EL |
| RAM 位總計： | 516096 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 147 |
| 門數(shù)： | 3000000 |
| 電源電壓： | 1.14V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 208-BFQFP |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 208-PQFP（28x28） |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁當(dāng)前第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁
ProASIC3E DC and Switching Characteristics
2-16
Revision 13
Overview of I/O Performance
Summary of I/O DC Input and Output Levels – Default I/O Software
Settings
Table 2-13 Summary of Maximum and Minimum DC Input and Output Levels
Applicable to Commercial and Industrial Conditions
I/O Standard
Drive
Strength
Equivalent
Software
Default
Drive
Strength
Option1
Slew
Rate
VIL
VIH
VOL
VOH
IOL3 IOH3
Min.
V
Max.
V
Min.
V
Max.
V
Max.
V
Min.
VmA mA
3.3V LVTTL/
3.3 V
LVCMOS
12 mA
High –0.3
0.8
2
3.6
0.4
2.4
12
3.3 V
LVCMOS
Wide Range
100 A
12 mA
High –0.3
0.8
2
3.6
0.2
VCCI – 0.2 0.1 0.1
2.5 V
LVCMOS
12 mA
High –0.3
0.7
1.7
3.6
0.7
1.7
12
1.8 V
LVCMOS
12 mA
High –0.3 0.35 * VCCI 0.65 * VCCI 3.6
0.45
VCCI – 0.45 12
12
1.5 V
LVCMOS
12 mA
High –0.3 0.30 * VCCI 0.7 * VCCI
3.6 0.25 * VCCI 0.75 * VCCI 12
12
3.3 V PCI
Per PCI Specification
3.3 V PCI-X
Per PCI-X Specification
3.3 V GTL
20 mA2
High –0.3 VREF – 0.05 VREF + 0.05 3.6
0.4
–
20
2.5 V GTL
20 mA2
High –0.3 VREF – 0.05 VREF + 0.05 3.6
0.4
–
20
3.3 V GTL+
35 mA
High –0.3 VREF – 0.1 VREF + 0.1 3.6
0.6
–
35
2.5 V GTL+
33 mA
High –0.3 VREF – 0.1 VREF + 0.1 3.6
0.6
–
33
HSTL (I)
8 mA
High –0.3 VREF – 0.1 VREF + 0.1 3.6
0.4
VCCI – 0.4
8
HSTL (II)
15 mA2
High –0.3 VREF – 0.1 VREF + 0.1 3.6
0.4
VCCI – 0.4
15
SSTL2 (I)
15 mA
High –0.3 VREF – 0.2 VREF + 0.2 3.6
0.54
VCCI – 0.62 15
15
SSTL2 (II)
18 mA
High –0.3 VREF – 0.2 VREF + 0.2 3.6
0.35
VCCI – 0.43 18
18
SSTL3 (I)
14 mA
High –0.3 VREF – 0.2 VREF + 0.2 3.6
0.7
VCCI – 1.1
14
SSTL3 (II)
21 mA
High –0.3 VREF – 0.2 VREF + 0.2 3.6
0.5
VCCI – 0.9
21
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. Output drive strength is below JEDEC specification.
3. Currents are measured at 85°C junction temperature.
4. Output Slew Rates can be extracted from IBIS Models, located at
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PDF描述 |
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