參數(shù)資料
型號(hào)： M12S128168A
廠商： Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
英文描述： 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 200萬(wàn)× 16位× 4個(gè)銀行同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 21/44頁(yè)
文件大小： 967K
代理商： M12S128168A
ES MT
6. Precharge
M12S128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
Nov. 2006
21/44
.
7. Auto Precharge
*Note
:
1. t
RDL
: Last data in to row precharge delay.
2. Number of valid output data after row precharge : 1,2 for CAS Latency = 2,3 respectively.
3. The row active command of the precharge bank can be issued after t
RP
from this point.
The new read/write command of other activated bank can be issued from this point.
At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same/another bank is illegal.
CLK
C M D
DQ
D0
D1
D2
D3
W R
t
RD L
* Not e 1
CLK
C M D
C M D
DQ( CL2)
Q0
Q1
Q2
Q3
R D
PRE
DQ(CL3)
Q0
Q1
Q2
Q3
PRE
1) N o r m a l W r i t e ( B L = 4 )
2) No r m al R ea d ( B L= 4 )
CL= 2
PRE CL= 3
*Not e 2
*Not e 2
CLK
C M D
DQ
D0
D1
D2
D3
W R
CLK
C M D
DQ(CL2)
D0
D1
D2
D3
R D
DQ(CL3)
* N o t e 3
Auto Precharge starts
D0
D1
D2
D3
* N o t e 3
Auto Precharge starts
1) N o r m a l W r i t e ( B L = 4 )
2) No r m al R ea d ( B L= 4 )
t
R DL ( m i n )
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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M12S16161A-7TG 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
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M12S64322A-6BG 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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