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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12S128168A-10TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 967K |
| 代理商： | M12S128168A-10TG |
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ES MT
4.
CAS
Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
M12S128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
Nov. 2006
19/44
CLK
i ) C M D
DQ M
DQ
D1
D3
D0
D2
W R
i i ) C M D
DQ M
DQ
i i i ) C M D
DQ M
DQ
i v) C M D
DQ M
DQ
D1
D3
D0
D2
R D
W R
R D
W R
D1
D3
D0
D2
D1
D3
D0
D2
R D
W R
H i - Z
Q0
*Not e 1
H i - Z
H i - Z
(a) CL=2,BL= 4
R D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12S16161A-7BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12S128168A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128324A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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