參數(shù)資料
型號： LX5503-LQ
廠商： MICROSEMI CORP-ANALOG MIXED SIGNAL GROUP
元件分類： 衰減器
英文描述： InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier
中文描述： 5150 MHz - 5850 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
封裝： 3 X 3 MM, PLASTIC, MLPQ-16
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大小： 473K
代理商： LX5503-LQ
LX5503
P
RODUCTION
D
ATA
S
HEET
Microsemi
Integrated Products Division
11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
Page 3
W
M
.
C
InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier
I N T E G R A T E D P R O D U C T S
Copyright
2000
Rev. 1.1, 9/16/2002
E L E C T R I C A L C H A R A C T E R I S T I C S
Test conditions: Vcc=3.3V, Vref=2.86V, Icq=100mA, T
A
=25°C.
Parameter
Frequency Range
Output Power at 1dB
Compression
Power Gain at Pout=18dBm
EVM at Pout=18dBm
Total Current at Pout=18dBm
Quiescent Current
Bias Control Reference Current
Small-Signal Gain
Gain Flatness
Gain Variation Over
Temperature
Input Return Loss
Output Return Loss
Reverse Isolation
Second Harmonic
Third Harmonic
Noise Figure
Ramp-On Time
Note: All measured data was obtained on a 5 mil GETEK evaluation board without heat sink.
Condition
Symbol
f
Min.
5.15
Typ.
Max.
5.35
Min.
5.7
Typ.
Max.
5.85
Unit
GHz
Pout
24
25
24
25
dBm
64QAM/54Mbps
For Icq=100mA
Over 100MHz
Gp
20
22
4
200
100
1.6
21
+/-0.2
16
18
4
180
100
1.6
17
+/-0.5
dB
%
mA
mA
mA
dB
dB
Ic_total
Icq
Iref
S21
S21
-40 to +85
o
C
S21
+/-1
+/-1
dB
Pout = 18dBm
Pout = 18dBm
10~90%
S11
S22
S12
NF
tON
-15
-9
-40
-45
-37
6
100
-10
-12
-10
-40
-42
-37
6
100
-10
dB
dB
dB
dBc
dBc
dB
ns
E
L
E
C
T
R
I
C
A
L
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LX5506 InGaP HBT 4.5 - 6GHz Power Amplifier
LX5511 InGaP HBT 2.3 - 2.5 GHz Power Amplifier
LX5511LQ InGaP HBT 2.3 - 2.5 GHz Power Amplifier
LX5540 Co-Package 2.3 - 2.5 GHz HBT Power Amplifier & pHEMT Low Noise Amplifier
LX6431BILP PRECISION PROGRAMMABLE REFERENCES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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LX5506BLQ-TR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF Amp Chip Single Power Amp 5.85GHz 16-Pin MLPQ EP T/R 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF AMP CHIP SGL PWR AMP 5.85GHZ 16MLPQ - Tape and Reel
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