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參數(shù)資料
| 型號： | LTC1871 |
| 廠商： | Linear Technology Corporation |
| 英文描述： | Quadruple 2-Input Positive-AND Gate 14-TVSOP -40 to 85 |
| 中文描述： | 寬輸入范圍，無檢測電阻電流模式升壓，反激和SEPIC控制器 |
| 文件頁數(shù)： | 6/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 411K |
| 代理商： | LTC1871 |
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6
LTC1871
PIU
RUN (Pin 1):
The RUN pin provides the user with an
accurate means for sensing the input voltage and pro-
gramming the start-up threshold for the converter. The
falling RUN pin threshold is nominally 1.248V and the
comparator has 100mV of hysteresis for noise immunity.
When the RUN pin is below this input threshold, the IC is
shut down and the V
IN
supply current is kept to a low
value (typ 10
μ
A). The Absolute Maximum Rating for the
voltage on this pin is 7V.
I
TH
(Pin 2):
Error Amplifier Compensation Pin. The cur-
rent comparator input threshold increases with this
control voltage. Nominal voltage range for this pin is 0V
to 1.40V.
FB (Pin 3):
Receives the feedback voltage from the
external resistor divider across the output. Nominal
voltage for this pin in regulaton is 1.230V.
FREQ (Pin 4):
A resistor from the FREQ pin to ground
programs the operating frequency of the chip. The nomi-
nal voltage at the FREQ pin is 0.6V.
MODE/SYNC (Pin 5):
This input controls the operating
mode of the converter and allows for synchronizing the
operating frequency to an external clock. If the MODE/
SYNC pin is connected to ground, Burst Mode operation
is enabled. If the MODE/SYNC pin is connected to INTV
CC
,
or if an external logic-level synchronization signal is
applied to this input, Burst Mode operation is disabled
and the IC operates in a continuous mode.
GND (Pin 6):
Ground Pin.
GATE (Pin 7):
Gate Driver Output.
I
NTV
CC
(Pin 8):
The Internal 5.20V Regulator Output. The
gate driver and control circuits are powered from this
voltage. Decouple this pin locally to the IC ground with a
minimum of 4.7
μ
F low ESR tantalum or ceramic
capacitor.
V
IN
(Pin 9):
Main Supply Pin. Must be closely decoupled
to ground.
SENSE (Pin 10):
The Current Sense Input for the Control
Loop. Connect this pin to the drain of the power MOSFET
for V
DS
sensing and highest efficiency. Alternatively, the
SENSE pin may be connected to a resistor in the source
of the power MOSFET. Internal leading edge blanking is
provided for both sensing methods.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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