參數(shù)資料
型號(hào)： LT1162
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
中文描述： Half-/Full-Bridge N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大小： 347K
代理商： LT1162
7
LT1160/LT1162
+
V
SV
+
PV
+
IN TOP
IN BOTTOM
UV OUT
SGND
PGND
BOOST
T GATE DR
T GATE FB
T SOURCE
B GATE DR
B GATE FB
3k
50
50
1
μ
F
1
μ
F
3000pF
3000pF
1160/62 TC01
(LT1160)
+
V/I
+
V/I
+
V
+
V
TEST CIR
–
+
–
+
SV
+
IN TOP
IN BOTTOM
BOOST
T GATE DR
T GATE FB
T SOURCE
PV
+
B GATE DR
B GATE FB
1160/62 BD
SGND
PGND
GND
1/2 LT1162
LT1160
BIAS
3k
3k
TOP
UV LOCK
BOTTOM
UV LOCK
2.9V
2.5V
5V
5V
UV OUT
FU
CTIO
AL DIAGRW
U
U
(LT1160 or 1/2 LT1162)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LT1162CN Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
LT1162CSW Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
LT1162IN Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
LT1162ISW Dual 1-of-4 Data Selectors/Multiplexers With 3-State Outputs 16-SOIC 0 to 70
LT1160CS TRANS PNP LF 400VCEO .1A TO-126
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LT1162CN 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 24-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
LT1162CN#PBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER NCH 24-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
LT1162CSW 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1162CSW#PBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER NCH 24SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LT1162CSW#TR 功能描述:IC DRIVER MOSF N-CH DUAL 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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