參數(shù)資料
型號： LT1158I
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver
中文描述： 半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器
文件頁數(shù)： 19/20頁
文件大?。?/td> 426K
代理商： LT1158I
LT1158
19
Control Logic for Locked Anti-Phase Drive
Motor stops if either side is shorted to ground
Control Logic for Sign/Magnitude Drive
+
1
μ
F
1N4148
PWM
DIRECTION
STOP
(FREE RUN)
ENABLE A
INPUT A
FAULT A
ENABLE B
INPUT B
FAULT B
74HC02
1158F17b
0.1
μ
F
1N4148
PWM
5V
ENABLE A
INPUT A
FAULT A
ENABLE B
INPUT B
FAULT B
74HC132
1158F17c
5.1k
0.01
μ
F
150k
Figure 17. 10A Full Bridge Motor Control
Information furnished by Linear Technology Corporation is believed to be accurate and reliable.
However, no responsibility is assumed for its use. Linear Technology Corporation makes no represen-
tation that the interconnection of its circuits as described herein will not infringe on existing patent rights.
TYPICAL APPLICATIO
N
S
LT1158 F17a
+
0.01
μ
F
LOW
ESR
15
SIDE B: SHOWS
CURRENT-SENSING
MOSFET CONNECTION
10V TO 30V
0.1
μ
F
Q1, Q3: IRF540 (STANDARD)
IRC540 (SENSE FET)
Q2, Q4: IRFZ44
D1, D2: BAT83
R
: DALE TYPE LVR-3
ULTRONIX RCS01
1N4148
+
+
–
Q2
0.01
μ
F
15
15
10
μ
F
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
BOOST
T GATE DR
T GATE FB
T SOURCE
SENSE
+
SENSE
–
V
+
B GATE DR
BOOST DR
V
+
BIAS
ENABLE
FAULT
INPUT
GND
B GATE FB
LT1158
1N4148
–
Q1
Q4
R
0.015
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
BOOST
T GATE DR
T GATE FB
T SOURCE
SENSE
+
SENSE
–
V
+
B GATE DR
BOOST DR
V
+
BIAS
ENABLE
FAULT
INPUT
GND
B GATE FB
LT1158
Q3
+
ENABLE A
INPUT A
FAULT A
ENABLE B
INPUT B
FAULT B
10
μ
F
470
μ
F
LOW
ESR
470
μ
F
15
2.4k
2.4k
0.1
μ
F
+
D1
47
D2
SIDE A: SHOWS
STANDARD MOSFET
CONNECTION
+
Μ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LT1158IS Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver
LT1160CN Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
LT1162 Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
LT1162CN Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
LT1162CSW Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LT1158IN 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH 16DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1158IN#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR 1/2BRDG NCH 16DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1158IS 制造商:LINER 制造商全稱:Linear Technology 功能描述:Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver
LT1158ISW 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH16SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1158ISW#PBF 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH16SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
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