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參數(shù)資料
| 型號： | LRS1828 |
| 英文描述： | Flash ROM |
| 中文描述： | 閃存ROM |
| 文件頁數(shù)： | 41/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | LRS1828 |
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LRS1806A
39
16. Design Considerations
1. Power Supply Decoupling
To avoid a bad effect to the system by flash memory and Smartcombo RAM power switching characteristics, each
device should have a 0.1μF ceramic capacitor connected between F-V
CC
and GND, between F-V
PP
and GND and
between S-V
CC
and GND.
Low inductance capacitors should be placed as close as possible to package leads.
2. F-V
PP
Trace on Printed Circuit Boards
Updating the memory contents of flash memories that reside in the target system requires that the printed circuit board
designer pay attention to the F-V
PP
Power Supply trace. Use similar trace widths and layout considerations given to the F-
V
CC
power bus.
3. The Inhibition of Overwrite Operation
Please do not execute reprograming “0” for the bit which has already been programed “0”. Overwrite operation may
generate unerasable bit.
In case of reprograming “0” to the data which has been programed “1”.
Program “0” for the bit in which you want to change data from “1” to “0”.
Program “1” for the bit which has already been programed “0”.
For example, changing data from “1011110110111101” to “1010110110111100”
requires “1110111111111110” programing.
4. Power Supply
Block erase, full chip erase, word write with an invalid F-V
PP
(See Chapter 11. DC Electrical Characteristics) produce
spurious results and should not be attempted.
Device operations at invalid F-V
CC
voltage (See Chapter 11. DC Electrical Characteristics) produce spurious results
and should not be attempted.
17. Related Document Information
(1)
Document No.
Note:
1. International customers should contact their local SHARP or distribution sales offices.
Document Name
FUM00701
LH28F320BF, LH28F640BF, LH28F128BF Series Appendix
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LRS1832 | Flash ROM |
| LRU2642R | Fuse |
| LRU663M | Fuse |
| LS06051B | |
| LS06102C | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LRS1832 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Flash ROM |
| LRS18AC | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:128M Flash Memory with 32M SmartCombo RAM |
| LRS-200-12 | 功能描述:O/P +12V17A 制造商:mean well usa inc. 系列:LRS-200 零件狀態(tài):在售 類型:封閉式 輸出數(shù):1 電壓 - 輸入:90 ~ 132 VAC，180 ~ 264 VAC，240 ~ 370 VDC 電壓 - 輸出 1:12V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電壓 - 輸出 4:- 電流 - 輸出（最大值）:17A 功率（W）:204W 應(yīng)用:ITE（商業(yè)） 電壓 - 隔離:3kV 效率:87.5% 工作溫度:-25°C ~ 70°C（有降額） 特性:可調(diào)輸出，通用輸入 安裝類型:底座安裝 大小/尺寸:8.46" 長 x 4.53" 寬 x 1.18" 高（215.0mm x 115.0mm x 30.0mm） 所需最小負(fù)載:無 認(rèn)可:CB，cURus 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| LRS-200-15 | 功能描述:O/P +15V14A 制造商:mean well usa inc. 系列:LRS-200 零件狀態(tài):在售 類型:封閉式 輸出數(shù):1 電壓 - 輸入:90 ~ 132 VAC，180 ~ 264 VAC，240 ~ 370 VDC 電壓 - 輸出 1:15V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電壓 - 輸出 4:- 電流 - 輸出（最大值）:14A 功率（W）:210W 應(yīng)用:ITE（商業(yè)） 電壓 - 隔離:3kV 效率:88% 工作溫度:-25°C ~ 70°C（有降額） 特性:可調(diào)輸出，通用輸入 安裝類型:底座安裝 大小/尺寸:8.46" 長 x 4.53" 寬 x 1.18" 高（215.0mm x 115.0mm x 30.0mm） 所需最小負(fù)載:無 認(rèn)可:CB，cURus 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| LRS-200-24 | 功能描述:O/P +24V8.8A 制造商:mean well usa inc. 系列:LRS-200 零件狀態(tài):在售 類型:封閉式 輸出數(shù):1 電壓 - 輸入:90 ~ 132 VAC，180 ~ 264 VAC，240 ~ 370 VDC 電壓 - 輸出 1:24V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電壓 - 輸出 4:- 電流 - 輸出（最大值）:8.8A 功率（W）:211W 應(yīng)用:ITE（商業(yè)） 電壓 - 隔離:3kV 效率:89.5% 工作溫度:-25°C ~ 70°C（有降額） 特性:可調(diào)輸出，通用輸入 安裝類型:底座安裝 大小/尺寸:8.46" 長 x 4.53" 寬 x 1.18" 高（215.0mm x 115.0mm x 30.0mm） 所需最小負(fù)載:無 認(rèn)可:CB，cURus 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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