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參數(shù)資料
| 型號： | LRI512 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Memory TAG IC 512 bit High Endurance EEPROM 13.56MHz, ISO 15693 Standard Compliant with E.A.S. |
| 中文描述： | 內(nèi)存標簽集成電路的512位高耐力的EEPROM 13.56，ISO 15693標準符合標準的防盜 |
| 文件頁數(shù)： | 13/54頁 |
| 文件大小： | 351K |
| 代理商： | LRI512 |
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LRI512
EOF When Using One Subcarrier
High Data Rate.
EOF comprises 3 parts: (see
Figure 24)
– a logic 0 which starts with 8 pulses of
423.75 kHz followed by an unmodulated time of
18.88 μs.
– 24 pulses of 423.75 kHz (
f
c
/32),
– an unmodulated time of 56.64 μs.
Low Data Rate.
EOF comprises 3 parts: (see
Figure 25)
– a logic 0 which starts with 32 pulses of
423.75 kHz followed by an unmodulated time of
75.52 μs.
– 96 pulses of 423.75 kHz (
f
c
/32),
– an unmodulated time of 226.56 μs.
Figure 24. End of Frame, High Data Rate, One Subcarrier
Figure 25. End of Frame, Low Data Rate, One Subcarrier
AI06675
113.28 μs
37.76 μs
AI06676
453.12 μs
151.04 μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LRI512-C40 | EEPROM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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