參數(shù)資料
型號(hào)： LNA2904L
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 紅外LED
英文描述： GaAs Infrared Light Emitting Diode
中文描述： 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm
封裝： PLASTIC, LT5RR102-001, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 40K
代理商： LNA2904L
1
Infrared Light Emitting Diodes
LNA2904L
GaAs Infrared Light Emitting Diode
1
2
1
5.0
±
0.2
2.54
2-1.0
±
0.15
2-0.6
±
0.15
7
±
0
±
0
±
0
1
±
1
3
±
0
1
±
1
1
N
1: Cathode
2: Anode
Unit : mm
For optical control systems
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
P
D
I
F
I
FP*
V
R
T
opr
T
stg
Ratings
160
100
1.5
3
–25 to +85
– 40 to +100
Unit
mW
mA
A
V
C
C
Power dissipation
Forward current (DC)
Pulse forward current
Reverse voltage (DC)
Operating ambient temperature
Storage temperature
*
f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %
Features
High-power output, high-efficiency : I
e
= 10 mW/sr (min.)
Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors
Good radiant power output linearity with respect to input current
High center radiant intensity
Transparent epoxy resin package
Electro-Optical Characteristics
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
I
e
λ
P
λ
V
F
I
R
C
t
θ
Conditions
min
10
typ
max
Unit
mW/sr
nm
nm
V
μ
A
pF
deg.
Center radiant intensity
Peak emission wavelength
Spectral half band width
Forward voltage (DC)
Reverse current (DC)
Capacitance between pins
Half-power angle
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
F
= 100mA
V
R
= 3V
V
R
= 0V, f = 1MHz
950
50
1.35
1.6
10
50
20
The angle in which radiant intencity is 50%
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PDF描述
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