參數(shù)資料
型號： LN58
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 紅外LED
英文描述： GaAs Infrared Light Emitting Diode
中文描述： 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： LN58
2
Infrared Light Emitting Diodes
LN58
I
F
— Ta
60
50
40
30
20
10
Ambient temperature Ta (C )
A
F
0
20
40
60
80
100
0
– 25
I
FP
— Duty cycle
10
2
10
1
10
–1
10
–2
Duty cycle (%)
P
F
10
–1
10
10
2
1
10
–3
10
–2
Ta = 25C
I
F
— V
F
80
70
60
50
40
20
10
30
0
Forward voltage V
F
(V)
Ta = 25C
F
F
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
FP
— V
F
10
4
10
3
10
2
10
1
Forward voltage V
F
(V)
P
F
10
–1
0
t
= 10
μ
s
Duty Cycle = 0.1%
Ta = 25C
1
3
5
2
4
Ta = 25C
P
O
— I
F
120
80
40
100
60
20
Forward current I
F
(mA)
R
P
O
10
20
30
40
50
60
0
0
P
O
— Ta
10
1
Ambient temperature Ta (C )
R
P
O
0
40
80
120
I
F
= 50mA
10
2
10
3
λ
P
— Ta
1000
980
960
940
920
900
Ambient temperature Ta (C )
I
F
= 50mA
P
λ
P
– 40
0
40
80
120
P
O
— I
FP
10
3
10
2
10
1
Pulse forward current I
FP
(mA)
R
P
O
10
3
10
4
10
2
10
–1
10
w
= 10
μ
s
t
(2) f = 21kHz
Ta = 25C
V
F
— Ta
1.6
1.2
0.8
0.4
0
– 40
Ambient temperature Ta (C )
F
F
0
40
80
120
I
F
= 50mA
10mA
1mA
(1)
(2)
(3)
(4)
相關PDF資料
PDF描述
LN59-LNA2702L GaAs Bi-directional Infrared Light Emitting Diodes
LN61C GaAs INFRARED LIGHT EMITTING DIODE
LN65 GaAs Infrared Light Emitting Diode
LN66F GaAs Infrared Light Emitting Diode
LN66L GaAs Infrared Light Emitting Diode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
LN59 功能描述:IR LED BIDIRECTIONAL 950NM RoHS:否 類別:光電元件 >> 紅外發(fā)射極 系列:- 標準包裝:1,200 系列:- 電流 - DC 正向(If):100mA 輻射強度(le)最小值@正向電流:27mW/sr @ 100mA 波長:940nm 正向電壓:1.6V 視角:40° 方向:頂視圖 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 包裝:帶卷 (TR)
LN59/LN59L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:GaAs Bi-Directional Infrared Light Emitting Diodes
LN59/LNA2702L(LN59L) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:LN59. LNA2702L (LN59L) - GaAs Bi-directional Infrared Light Emitting Diodes
LN59L 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:GaAs Bi-directional Infrared Light Emitting Diodes
LN59L.VT 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE
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