參數(shù)資料
型號： LN162S
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 紅外LED
英文描述： GaAs Infrared Light Emitting Diode
中文描述： 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm
封裝： CERAMIC, CTRLR102-001, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 298K
代理商： LN162S
SHC00002CED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
LN162S
2
Ambient temperature Ta (°C)
Forward
current
I F
(mA)
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
25
104
103
102
10
1
Forward voltage VF (V)
Pulse
forward
current
I FP
(mA)
4
5
3
10 1
0
1
2
103
102
10
1
Ambient temperature Ta (°C)
Relative
radiant
power
P
O
40
0
40
80
120
tW = 10 s
Duty cycle = 0.1%
Ta = 25°C
IF = 50 mA
10 mA
IF = 50 mA
Ta = 25°C
0° 10° 20° 30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
20
100
80
60
40
Relative
radiant
intensity
(%)
Duty cycle (%)
Pulse
forward
current
I FP
(A
)
102
10
1
10 1
10 2
10 1
10
102
1
10 3
10 2
80
60
40
20
Forward voltage VF (V)
Forward
current
I F
(mA
)
0.8
1.6
0.4
1.2
0
1.6
1.2
0.8
0.4
Ambient temperature Ta (°C)
Forward
voltage
V
F
(V
)
40
0
40
80
120
0
1 000
980
960
940
920
900
Ambient temperature Ta (°C)
Peak
emission
wavelength
λ P
(nm
)
40
0
40
80
120
100
80
60
40
20
Wavelength λ (nm)
Relative
radiant
intensity
(%)
900
940
980 1 020 1 060 1 100
0
860
Ta = 25°C
IF Ta
IFP Duty cycle
IF VF
IFP VF
PO Ta
VF Ta
λP Ta
Relative radiant intensity λ
Directive characteristics
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