參數(shù)資料
型號: LLE18010X
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN microwave power transistor
中文描述: L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù): 7/12頁
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代理商: LLE18010X
1999 Apr 22
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LLE18010X
Fig.5 Load power as a function of input power.
V
CE
= 24 V; f = 1.85 GHz; I
CQ
= 10 mA.
handbook, halfpage
PL
(W)
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.4
0
0.8
1.2
MLC449
Pi
Input and optimum load impedances
V
CE
= 24 V; I
CQ
= 50 mA (see Figs 6 and 7); typical values
at P
L
= P
L1
.
f
(GHz)
Z
i
(
)
Z
L
(
)
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
4.7 + j12.0
5.0 + j13.0
5.5 + j14.0
6.0 + j15.2
6.7 + j16.5
8.2 + j21.7
7.3 + j20.5
6.5 + j19.0
6.2 + j17.5
5.9 + j16.0
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