參數(shù)資料
型號: LLE18010X
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN microwave power transistor
中文描述: L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù): 3/12頁
文件大?。?/td> 78K
代理商: LLE18010X
1999 Apr 22
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LLE18010X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1. Up to 0.2 mm from ceramic.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 220
open base
open collector
65
40
30
15
3
250
4.5
+150
200
235
V
V
V
V
mA
W
°
C
°
C
°
C
T
mb
= 75
°
C
t
10 s; note 1
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
50
0
50
150
2
0
MLC290
100
mb
o
Ptot
(W)
4
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