參數(shù)資料
型號(hào): LLE16350X
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN microwave power transistor
中文描述: L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝: METAL CERAMIC, SOT-437A, 3 PIN
文件頁數(shù): 8/12頁
文件大小: 103K
代理商: LLE16350X
1997 Feb 03
8
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LLE16350X
Fig.8 Input impedance as a function of frequency; typical values at P
L
= P
L1
.
V
CE
= 24 V; Z
o
= 10
; I
CQ
= 0.1 A.
handbook, full pagewidth
MBD761
0.2
0.5
1
2
5
10
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
– j
0.2
0.5
10
5
2
1.5 GHz
1.65 GHz
Zi
1.8 GHz
Fig.9 Optimum load impedance as a function of frequency; typical values at P
L
= P
L1
.
V
CE
= 24 V; Z
o
= 100 W; I
CQ
= 0.1 A.
handbook, full pagewidth
MBD762
0.2
0.5
1
2
5
10
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
– j
0.2
0.5
1
10
5
2
1.8 GHz
1.65 GHz
ZL
1.5 GHz
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