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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LLE16350X |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-437A, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | LLE16350X |
1997 Feb 03
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LLE16350X
THERMAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
T
mb
= 25
°
C unless otherwise specified.
APPLICATION INFORMATION
Microwave performance up to T
mb
= 25
°
C in a common emitter class AB amplifier.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
T
j
= 100
°
C
VALUE
UNIT
R
th j-mb
R
th mb-h
thermal resistance from junction to mounting base
thermal resistance from mounting base to heatsink
max. 2
typ. 0.2
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
V
(BR)CER
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
h
FE
collector cut-off current
collector-emitter breakdown voltage
collector-base breakdown voltage
emitter-base breakdown voltage
DC current gain
I
E
= 0; V
CB
= 20 V
I
C
= 15 mA; R
BE
= 220
I
C
= 15 mA
I
E
= 15 mA
I
C
= 1 A; V
CE
= 3 V
30
45
3
15
3
100
mA
V
V
V
MODE OF
OPERATION
f
(GHz)
V
CE
(V)
I
CQ
(A)
P
L1
(W)
≥
29
typ. 32
G
po
(dB)
≥
8
typ. 9
η
C
(%)
Z
i
; Z
L
(
)
see Figs 8
and 9
Class AB (CW)
1.65
24
0.1
typ. 48
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LLE18010X | NPN microwave power transistor |
| LLE18040X | NPN microwave power transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LLE18010X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
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