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參數(shù)資料
| 型號： | LH5P8129 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | CMOS 1M (128K x 8) CS-Control Pseudo-Static RAM |
| 中文描述： | 100萬的CMOS（128K的× 8）政務司司長，控制偽靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 119K |
| 代理商： | LH5P8129 |
DC CHARACTERISTICS (T
A
= 0 to +70
°
C, V
CC
= 5.0 V
±
10%)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
NOTE
Operating current
LH5P8129-60
LH5P8129-80
LH5P8129-10
TTL Input
CMOS Input
TTL Input
CMOS Input
I
CC1
t
RC
= t
RC
(MIN.)
104
70
50
1
0.2
1
0.2
mA
1, 2
Standby current
I
CC2
mA
1, 3
1, 4
1, 5
1, 6
Self-refresh
average current
I
CC3
mA
Input leakage current
I
LI
0 V
≤
V
IN
≤
6.5 V
0 V except on test pins
0 V
≤
V
OUT
≤
V
CC
+ 0.3 V
Output in high-impedance state
I
OUT
= -1 mA
-10
10
μ
A
I/O leakage current
I
LO
-10
10
μ
A
Output HIGH voltage
V
OH
2.4
V
Output LOW voltage
V
OL
I
OUT
= 4 mA
0.4
V
NOTES:
1.
Specified values are with outputs open.
2.
I
CC1
depends on the cycle time
3.
CE = V
IH
, RFSH = V
IH
4.
CE = V
CC
- 0.2 V, RFSH = V
CC
- 0.2 V
5.
CE = V
IH
, RFSH = V
IL
6.
CE = V
CC
- 0.2 V, RFSH = 0.2 V
LH5P8129
CMOS 1M (128K
×
8) Pseudo-Static RAM
4
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PDF描述 |
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相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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