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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LH28F400SUB |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory |
| 中文描述： | 4分（為512k】8，256K】16）快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/35頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 294K |
| 代理商： | LH28F400SUB |
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4M (512K × 8, 256K × 16) Flash Memory
LH28F400SU-NC
21
DC Characteristics
V
CC
= 5.0 V ± 0.5 V, T
A
= 0°C to +70°C
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MIN.
MAX.
UNITS
TEST CONDITIONS
NOTE
I
IL
I
LO
Input Load Current
±1
μA
V
CC
= V
CC
MAX., V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
MAX., V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
MAX.,
CE
, RP
= V
CC
±0.2 V
BYTE = V
CC
±0.2 V or GND ±0.2 V
V
CC
= V
CC
MAX.,
CE
, RP
= V
IH
BYTE = V
IH
or V
IL
1
Output Leakage Current
±10
μA
1
I
CCS
V
CC
Standby Current
5
10
μA
1, 4
1
4
mA
I
CCD
V
CC
Deep Power-Down
Current
0.2
5
μA
RP
= GND ±0.2 V
1
I
CCR1
V
CC
Read Current
60
mA
V
CC
= V
CC
MAX.,
CMOS: CE
= GND ±0.2 V
BYTE = GND ±0.2 V or V
CC
±0.2 V
Inputs = GND ±0.2 V or V
CC
±0.2 V
TTL: CE
= V
IL,
BYTE = V
IL
or V
IH
Inputs = V
IL
or V
IH
f = 10 MHz, I
OUT
= 0 mA
V
CC
= V
CC
MAX.,
CMOS: CE
= GND ±0.2 V
BYTE = V
CC
±0.2 V or GND ±0.2 V
Inputs = GND ±0.2 V or V
CC
±0.2 V
TTL: CE
= V
IL,
BYTE = V
IH
or V
IL
Inputs = V
IL
or V
IH
,
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
Word/Byte Write in Progress
1, 3, 4
I
CCR2
V
CC
Read Current
16
30
mA
1, 3, 4
I
CCW
I
CCE
V
CC
Write Current
V
CC
Block Erase Current
V
CC
Erase Suspend
Current
18
35
mA
1
18
25
mA
Block Erase in Progress
1
I
CCES
5
10
mA
CE
= V
IH
Block Erase Suspended
1, 2
I
PPS
V
PP
Standby Current
V
PP
Deep Power-Down
Current
±1
±10
μA
V
PP
≤
V
CC
1
I
PPD
0.2
5
μA
RP
= GND ±0.2 V
1
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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