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參數(shù)資料
| 型號： | LH28F016SUT-10 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 16M (1M x 16 , 2M x 8) Flash Memory |
| 中文描述： | 1,600（100萬× 16，200萬× 8）閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 28/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 326K |
| 代理商： | LH28F016SUT-10 |
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LH28F016SU
16M (1M × 16, 2M × 8) Flash Memory
28
AC Characteristics for WE
- Controlled Command Write Operations
1
T
A
= 0°C to +70°C
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
NOTE
MIN.
MAX.
UNITS
t
AVAV
Write Cycle Time
120
ns
t
VPWH
V
PP
Setup to WE Going High
100
ns
3
t
PHEL
RP
Setup to CE
Going Low
480
ns
t
ELWL
CE
Setup to WE Going Low
10
ns
t
AVWH
Address Setup to WE Going High
75
ns
2, 6
t
DVWH
Data Setup to WE Going High
75
ns
2, 6
t
WLWH
WE Pulse Width
75
ns
t
WHDX
Data Hold from WE High
10
ns
2
t
WHAX
Address Hold from WE High
10
ns
2
t
WHEH
CE
Hold from WE High
10
ns
t
WHWL
WE Pulse Width High
75
ns
t
GHWL
Read Recovery before Write
0
ns
t
WHRL
WE High to RY
/BY
Going Low
100
ns
t
RHPL
RP
Hold from Valid Status Register
(CSR, GSR, BSR) Data and RY
/BY
High
0
ns
3
t
PHWL
RP
High Recovery to WE Going Low
1
μs
t
WHGL
Write Recovery before Read
120
ns
t
QVVL
V
PP
Hold from Valid Status Register
(CSR, GSR, BSR) Data and RY
/BY
High
0
μs
t
WHQV1
t
WHQV2
Duration of Byte Write Operation
12
5
μs
4, 5
Duration of Block Erase Operation
0.3
s
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F016SUT-70 | 16M (1M x 16 , 2M x 8) Flash Memory |
| LH28F016SCT-L95 | 16M Flash Memory 2M (】8) |
| LH28F016LL | 16M (1M 】 16, 2M 】 8) Flash Memory |
| LH28F016SA | 16M (1M 】 16, 2M 】 8) Flash Memory |
| LH28F016SANS | 16 Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F016SUT-70 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述: |
| LH28F020SU-L | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:2M (256K 】 8) Flash Memory |
| LH28F020SU-N | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:2M (256K 】 8) Flash Memory |
| LH28F020SUN-L12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| LH28F032SUTD-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM Module |
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