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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LH28F016SUT-70 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 16M (1M x 16 , 2M x 8) Flash Memory |
| 中文描述： | 1,600（100萬(wàn)× 16，200萬(wàn)× 8）閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/37頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 326K |
| 代理商： | LH28F016SUT-70 |
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LH28F016SU
1
16M (1M × 16, 2M × 8) Flash Memory
Figure 1. TSOP Configuration
FEATURES
User-Configurable x8 or x16 Operation
User-Selectable 3.3 V or 5 V V
CC
70 ns Maximum Access Time
0.32 MB/sec Write Transfer Rate
100,000 Erase Cycles per Block
32 Independently Lockable Blocks
5 V Write/Erase Operation (5 V V
PP
)
– No Requirement for DC/DC Converter
to Write/Erase
Minimum 2.7 V Read capability
– 160 ns Maximum Access Time
(V
CC
= 2.7 V)
Revolutionary Architecture
– Pipelined Command Execution
– Write During Erase
– Command Superset of
Sharp LH28F008SA
5 μA (Typ.) I
CC
in CMOS Standby
1 μA (Typ.) Deep Power-Down
State-of-the-Art 0.55 μm ETOX
Flash Technology
56-Pin, 1.2 mm × 14 mm × 20 mm
TSOP (Type I) Package
28F016SUT-1
TOP VIEW
56-PIN TSOP
2
3
4
5
8
9
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
A
19
A
18
A
20
53
52
51
50
49
48
45
42
41
NC
6
7
A
17
47
46
RY/BY
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
GND
DQ
11
10
11
12
55
54
OE
13
44
DQ
4
V
CC
43
14
15
16
17
18
19
20
39
36
40
38
37
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
A
10
A
9
A
8
GND
A
11
V
PP
RP
CE
0
WE
DQ
13
DQ
5
DQ
12
56
1
CE
1
3/5
WP
21
22
23
24
25
26
27
28
A
4
A
3
A
2
A
1
A
5
A
7
A
6
34
33
DQ
8
DQ
0
35
31
32
30
29
A
0
BYTE
NC
NC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F016SCT-L95 | 16M Flash Memory 2M (】8) |
| LH28F016LL | 16M (1M 】 16, 2M 】 8) Flash Memory |
| LH28F016SA | 16M (1M 】 16, 2M 】 8) Flash Memory |
| LH28F016SANS | 16 Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) |
| LH28F016SC-L | 16 M-bit (2 MB x 8) SmartVoltage Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| LH28F020SU-N | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:2M (256K 】 8) Flash Memory |
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| LH28F032SUTD-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM Module |
| LH28F040SUTD-Z4 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:4M (512K 】 8) Flash Memory |
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