參數(shù)資料
型號： LH28F016SAT-70
廠商： Sharp Corporation
英文描述： 16M (1M 】 16, 2M 】 8) Flash Memory
中文描述： 1,600（100萬】16日，2分】8）閃存
文件頁數(shù)： 35/37頁
文件大?。?/td> 326K
代理商： LH28F016SAT-70
16M (1M × 16, 2M × 8) Flash Memory
LH28F016SU
35
Figuer 17. Page Buffer Write Timing Waveforms
Erase and Word/Byte Write Performance
V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V, T
A
= 0°C to +70°C
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
(1)
MIN.
MAX.
UNITS
TEST CONDITIONS
NOTE
t
WHRH1
t
WHRH2
t
WHRH3
Word/Byte Write Time
12
μs
2
Block Write Time
0.8
2.1
s
Byte Write Mode
2
Block Write Time
0.4
1.0
s
Word Write Mode
2
Block Erase Time
0.9
10
s
2
Full Chip Erase Time
28.8
s
2
NOTES:
1. 25°C, V
PP
= 5.0 V.
2. Excludes System-Level Overhead.
V
CC
= 5.0 V ± 0.5 V, T
A
= 0°C to +70°C
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
(1)
MIN.
MAX.
UNITS
TEST CONDITIONS
NOTE
t
WHRH1
t
WHRH2
t
WHRH3
Byte Write Time
8
μs
2
Block Write Time
0.54
2.1
s
Byte Write Mode
2
Block Write Time
0.27
1.0
s
Word Write Mode
2
Block Erase Time
0.7
10
s
2
Full Chip Erase Time
22.4
s
2
VALID
ADDRESSES (A)
HIGH-Z
D
IN
t
DVWH
DATA (D/Q)
CE
X
(E)
WE (W)
t
WHDX
t
AVWL
t
WLWH
t
WHWL
t
WHEH
t
ELWL
t
WHAX
28F016SUT-15
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LH28F016SUHT-10 16Mbit(1Mbit x 16, 2Mbit x 8) 5V Single Voltage Flash Memory
LH28F016SANS-70 16 Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8)
LH28F020SU-L 2M (256K 】 8) Flash Memory
LH28F020SU-N 2M (256K 】 8) Flash Memory
LH28F040SUTD-Z4 4M (512K 】 8) Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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LH28F016SCB-L12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|2MX8|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC
LH28F016SCB-L120 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM
LH28F016SCB-L150 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM
LH28F016SCB-L90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM
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