參數(shù)資料
型號(hào): LH28F016SAT-70
廠商: Sharp Corporation
英文描述: 16M (1M 】 16, 2M 】 8) Flash Memory
中文描述: 1,600(100萬】16日,2分】8)閃存
文件頁數(shù): 1/37頁
文件大?。?/td> 326K
代理商: LH28F016SAT-70
LH28F016SU
1
16M (1M × 16, 2M × 8) Flash Memory
Figure 1. TSOP Configuration
FEATURES
User-Configurable x8 or x16 Operation
User-Selectable 3.3 V or 5 V V
CC
70 ns Maximum Access Time
0.32 MB/sec Write Transfer Rate
100,000 Erase Cycles per Block
32 Independently Lockable Blocks
5 V Write/Erase Operation (5 V V
PP
)
– No Requirement for DC/DC Converter
to Write/Erase
Minimum 2.7 V Read capability
– 160 ns Maximum Access Time
(V
CC
= 2.7 V)
Revolutionary Architecture
– Pipelined Command Execution
– Write During Erase
– Command Superset of
Sharp LH28F008SA
5 μA (Typ.) I
CC
in CMOS Standby
1 μA (Typ.) Deep Power-Down
State-of-the-Art 0.55 μm ETOX
Flash Technology
56-Pin, 1.2 mm × 14 mm × 20 mm
TSOP (Type I) Package
28F016SUT-1
TOP VIEW
56-PIN TSOP
2
3
4
5
8
9
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
A
19
A
18
A
20
53
52
51
50
49
48
45
42
41
NC
6
7
A
17
47
46
RY/BY
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
GND
DQ
11
10
11
12
55
54
OE
13
44
DQ
4
V
CC
43
14
15
16
17
18
19
20
39
36
40
38
37
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
A
10
A
9
A
8
GND
A
11
V
PP
RP
CE
0
WE
DQ
13
DQ
5
DQ
12
56
1
CE
1
3/5
WP
21
22
23
24
25
26
27
28
A
4
A
3
A
2
A
1
A
5
A
7
A
6
34
33
DQ
8
DQ
0
35
31
32
30
29
A
0
BYTE
NC
NC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LH28F016SUHT-10 16Mbit(1Mbit x 16, 2Mbit x 8) 5V Single Voltage Flash Memory
LH28F016SANS-70 16 Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8)
LH28F020SU-L 2M (256K 】 8) Flash Memory
LH28F020SU-N 2M (256K 】 8) Flash Memory
LH28F040SUTD-Z4 4M (512K 】 8) Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LH28F016SCB-L100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM
LH28F016SCB-L12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|2MX8|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC
LH28F016SCB-L120 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM
LH28F016SCB-L150 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM
LH28F016SCB-L90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM