參數(shù)資料
型號(hào)： LH28F016SAT-70
廠商： Sharp Corporation
英文描述： 16M (1M 】 16, 2M 】 8) Flash Memory
中文描述： 1,600（100萬(wàn)】16日，2分】8）閃存
文件頁(yè)數(shù)： 33/37頁(yè)
文件大?。?/td> 326K
代理商： LH28F016SAT-70
16M (1M × 16, 2M × 8) Flash Memory
LH28F016SU
33
Figure 16. Alternate AC Waveforms for Command Write Operations
ADDRESSES (A)
(NOTE 1)
V
IH
V
IL
A
IN
A = RA
V
IH
V
IL
A
IN
D
IN
D
IN
D
IN
D
IN
D
OUT
CE
X
(E)
(NOTE 4)
V
IH
V
IL
OE (G)
V
IH
V
IL
WE (W)
V
IH
V
IL
DATA (D/Q)V
IH
V
IL
RY/BY (R)V
OH
V
OL
RP (P)
V
IH
V
IL
t
AVAV
t
AVAV
t
EHGL
t
EHEL
t
ELEH
t
DVEH
t
PHEL
t
RHPL
t
QVVL
ADDRESSES (A)
(NOTE 2)
t
AVEH
t
EHAX
t
AVEH
t
EHAX
t
WLEL
t
EHWH
t
EHQV 1, 2
t
GHEL
t
EHDX
t
EHRL
(NOTE 5)
t
VPEH
28F016SUT-14
(NOTE 3)
HIGH-Z
WRITE
DATA-WRITE
OR ERASE
SETUP COMMAND
DEEP
POWER-DOWN
WRITE VALID
ADDRESS AND DATA
(DATA-WRITE) OR
ERASE CONFIRM
COMMAND
AUTOMATED
DATA-WRITE
OR ERASE
DELAY
WRITE READ
EXTENDED
REGISTER
COMMAND
NOTES:
1. This address string depicts Data-Write/Erase cycles with corresponding verification via ESRD.
2. This address string depicts Data-Write/Erase cycles with corresponding verification via CSRD.
3. This cycle is invalid when using CSRD for verification during Data-Write/Erase operations.
4. CE
X
is defined as the latter of CE
0
or CE
1
going LOW or the first of CE
0
or CE
1
going HIGH.
5. RP low transition is only to show t
RHPL
; not valid for above Read and Write cycles.
V
PP
(V)V
PPH
V
PPL
READ
EXTENDED
STATUS
REGISTER DATA
READ
COMPATIBLE
STATUS
REGISTER DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LH28F016SUHT-10 16Mbit(1Mbit x 16, 2Mbit x 8) 5V Single Voltage Flash Memory
LH28F016SANS-70 16 Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8)
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LH28F020SU-N 2M (256K 】 8) Flash Memory
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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LH28F016SCB-L12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|2MX8|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC
LH28F016SCB-L120 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM
LH28F016SCB-L150 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM
LH28F016SCB-L90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM
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