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參數(shù)資料
| 型號： | LH28F016SANS-70 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 16 Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) |
| 中文描述： | 16兆位（1兆位× 16，2兆位× 8） |
| 文件頁數(shù)： | 27/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 326K |
| 代理商： | LH28F016SANS-70 |
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16M (1M × 16, 2M × 8) Flash Memory
LH28F016SU
27
NOTES:
CE
0
, CE
1
and OE
are switched low after Power-Up.
1. Minimum of 2 μs is required to meet the specified t
PHQV
times.
2. The power supply may start to switch concurrently with RP
going Low.
3. The address access time and RP
high to data valid time are shown for 5 V V
CC
operation.
Refer to the AC Characteristics Read Only Operations 3.3 V V
CC
operation and all other speed options.
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
NOTE
t
PLYL
t
PLYH
RP
Low to 3/5
Low (High)
0
μs
t
YLPH
t
YHPH
3/5
Low (High) to RP
High
2
μs
1
t
PL5V
t
PL3V
RP
Low to V
CC
at 4.5 V MIN.
(to V
CC
at 3.0 V min or 3.6 V MAX.)
0
μs
2
t
PLPH
RP
'Low'
100
ns
t
5VPH
V
CC
at 4.5 V to RP
High
100
ns
3
t
3VPH
V
CC
at 3.0 V or RP
High
100
ns
3
t
AVQV
Address Valid to Data Valid for V
CC
= 5 V ± 10%
100
ns
4
t
PHQV
RP
High to Data Valid for V
CC
= 5 V ± 10%
480
ns
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| LH28F016SAT-70 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16M (1M 】 16, 2M 】 8) Flash Memory |
| LH28F016SCB-L100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
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