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參數(shù)資料
| 型號： | LH28F016SANS-70 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 16 Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) |
| 中文描述： | 16兆位（1兆位× 16，2兆位× 8） |
| 文件頁數(shù)： | 16/37頁 |
| 文件大小： | 326K |
| 代理商： | LH28F016SANS-70 |
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LH28F016SU
16M (1M × 16, 2M × 8) Flash Memory
16
Timing Nomenclature
All 3.3 V system timings are measured from where signals cross 1.5 V. For 5.0 V systems use the standard JEDEC
crosspoint definitions. Each timing parameter consists of 5 characters. Some common examples are defined below:
t
CE
t
ELQV
time (t) from CE
(E) going low (L) to the outputs (Q) becoming valid (V)
t
OE
t
GLQV
time (t) from OE
(G) going low (L) to the outputs (Q) becoming valid (V)
t
ACC
t
AVQV
time (t) from address (A) valid (V) to the outputs (Q) becoming valid (V)
t
AS
t
AVWH
time (t) from address (A) valid (V) to WE
(W) going high (H)
t
DH
t
WHDX
time (t) from WE
(W) going high (H) to when the data (D) can become undefined (X)
PIN CHARACTERS
PIN STATES
A
Address Inputs
H
High
D
Data Inputs
L
Low
Q
Data Outputs
V
Valid
E
CE
(Chip Enable)
X
Driven, but not necessarily valid
G
OE
(Output Enable)
Z
High Impedance
W
WE (Write Enable)
P
RP
(Deep Power-Down Pin)
R
RY
/BY
(Ready/Busy)
V
Any Voltage Level
Y
3/5
Pin
5 V
V
CC
at 4.5 V Min.
3 V
V
CC
at 3.0 V Min.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F020SU-L | 2M (256K 】 8) Flash Memory |
| LH28F020SU-N | 2M (256K 】 8) Flash Memory |
| LH28F040SUTD-Z4 | 4M (512K 】 8) Flash Memory |
| LH28F160BHE-TTL90 | 16M (x8/x16) Flash Memory |
| LH28F160BJE-BTL90 | 16M-BIT(1Mbit x16/2Mbit x8)Boot Block Flash MEMORY(16M位(1M位 x16/2M位 x8)Boot Block 閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F016SAT-100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F016SAT-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F016SAT-150 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F016SAT-70 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16M (1M 】 16, 2M 】 8) Flash Memory |
| LH28F016SCB-L100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
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