型號: | LET9085 |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology |
中文描述: | RF功率晶體管LDMOS的增強技術 |
文件頁數: | 3/4頁 |
文件大小: | 35K |
代理商: | LET9085 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
LET9130 | RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology |
LF120 | Very Low Drop Voltage Regulator with Inhabit(帶禁止的低壓差電壓穩(wěn)壓器) |
LF00AB | Very Low Drop Voltage Regulator with Inhabit(帶禁止的低壓差電壓穩(wěn)壓器) |
LF33 | Very Low Drop Voltage Regulator with Inhabit(帶禁止的低壓差電壓穩(wěn)壓器) |
LF35 | Very Low Drop Voltage Regulator with Inhabit(帶禁止的低壓差電壓穩(wěn)壓器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
LET9120 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
LET9130 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology |
LET9150 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Power LdmoST 150W 20 dB 860MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
LET9180 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER R.F. - Boxed Product (Development Kits) 制造商:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS |
LETBQ6WM | 制造商:OSRAM 功能描述: |