參數(shù)資料
型號： LET9060C
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
中文描述： RF功率晶體管LDMOS的增強技術(shù)
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 36K
代理商： LET9060C
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LET9060C
TYPICAL PERFORMANCE
Power Gain vs. Output
Power
10
12
14
16
18
20
22
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Pout (W )
G
f = 945 MHz
Vcc = 26 V
Idq = 250 m A
Efficiency
vs.
Output Power
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Pout (W )
E
f = 945 MHz
Vcc = 26 V
Idq = 250 m A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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LET9060S 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET9060STR 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET9060TR 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET9070CB 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 80V 12A 3-Pin Case M-243 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER R.F. - Trays 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSF RF N CH 80V 12A M243 制造商:STMicroelectronics 功能描述:RF PWR Trans LdmoST 28V 70W 16dB 945MHz
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