參數(shù)資料
型號： LET9060C
廠商： 意法半導體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
中文描述： RF功率晶體管LDMOS的增強技術
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 36K
代理商： LET9060C
LET9060C
2/5
ELECTRICAL SPECIFICATION
(T
CASE
= 25
°
C)
STATIC
Symbol
V
(BR)DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(Q)
V
DS(ON)
G
FS
C
ISS
C
OSS
C
RSS
DYNAMIC
Symbol
P
1dB
G
P
IMPEDANCE DATA
Test Conditions
I
DS
= 1 mA
V
DS
= 28 V
V
DS
= 0 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 5 V
V
DS
= 28 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
65
V
1
μ
A
μ
A
1
I
D
= 100 mA
I
D
= 3 A
I
D
= 3 A
V
DS
= 28 V
V
DS
= 28 V
V
DS
= 28 V
2.0
5.0
V
0.7
0.8
V
2.3
mho
f = 1 MHz
69.5
pF
f = 1 MHz
38
pF
f = 1 MHz
1.6
pF
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
= 26 V
V
DD
= 26 V I
DQ
= 250 mA
V
DD
= 26 V I
DQ
= 250 mA
V
DD
= 26 V I
DQ
= 250 mA
ALL PHASE ANGLES
I
DQ
= 250 mA
f = 945 MHz
60
65
W
P
OUT
= 60 W
P
OUT
= 60 W
P
OUT
= 60 W
f = 945 MHz
17.3
dB
η
D
f = 945 MHz
60
%
Load
mismatch
f = 945 MHz
5:1
VSWR
FREQ.
Z
IN
(
)
Z
DL
(
)
925 MHz
TBD
TBD
945 MHz
TBD
TBD
960 MHz
TBD
TBD
Typical Input
Impedance
Typical Drain
Load Impedance
Zin
Z
DL
G
D
S
相關PDF資料
PDF描述
LET9060S RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
LET9085 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
LET9130 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
LF120 Very Low Drop Voltage Regulator with Inhabit(帶禁止的低壓差電壓穩(wěn)壓器)
LF00AB Very Low Drop Voltage Regulator with Inhabit(帶禁止的低壓差電壓穩(wěn)壓器)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
LET9060F 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Power LdmoST 60W 18 dB 945MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET9060S 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET9060STR 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET9060TR 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET9070CB 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 80V 12A 3-Pin Case M-243 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER R.F. - Trays 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSF RF N CH 80V 12A M243 制造商:STMicroelectronics 功能描述:RF PWR Trans LdmoST 28V 70W 16dB 945MHz
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