參數(shù)資料
型號： LET21008
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
中文描述： 塑料包裝內(nèi)的射頻功率晶體管的LDMOS增強技術(shù)
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： LET21008
LET21008
2/4
ELECTRICAL SPECIFICATION
(T
CASE
= 25
°
C)
STATIC
Symbol
V
(BR)DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(Q)
V
DS(ON)
G
FS
C
ISS
C
OSS
C
RSS
Test Conditions
I
DS
= 1 mA
V
DS
= 26 V
V
DS
= 0 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 5 V
V
DS
= 26 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
65
V
1
μ
A
μ
A
1
I
D
= TBD
I
D
= 1 A
I
D
= 1 A
V
DS
= 26 V
V
DS
= 26 V
V
DS
= 26 V
2.5
5.0
V
TBD
V
TBD
mho
f = 1 MHz
TBD
pF
f = 1 MHz
TBD
pF
f = 1 MHz
TBD
pF
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
DYNAMIC
(f = 2170 MHz)
P
OUT(1)
V
DD
= 26 V I
DQ
= TBD
12
15
W
η
D(1)
V
DD
= 26 V I
DQ
= TBD
45
50
%
Load
mismatch
V
DD
= 26 V P
OUT
= 8 W
ALL PHASE ANGLES
20:1
VSWR
DYNAMIC
(f = 2110 - 2170 MHz)
P
OUT(1)
V
DD
= 26 V I
DQ
= TBD
8
W
η
D(1)
G
P
V
DD
= 26 V I
DQ
= TBD
40
45
%
V
DD
= 26 V I
DQ
= TBD P
OUT
= 8 W
11
13
dB
P
OUT(W-CDMA)
η
D(W-CDMA)
ACPR -45 dBc
2.5
W
ACPR -45 dBc
25
%
(1) 1 dB Compression point
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LET21030C RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
LET8180 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
LET9002 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
LET9006 528830494
LET9045S RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LET21030C 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
LET8180 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
LET9002 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
LET9006 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
LET9045 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*