參數(shù)資料
型號(hào)： LET20015
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
中文描述： 射頻功率晶體管的LDMOS增強(qiáng)技術(shù)在塑料包裝
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 67K
代理商： LET20015
LET20015
2/5
ELECTRICAL SPECIFICATION
(T
CASE
= 25
°
C)
STATIC
Symbol
V
(BR)DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(Q)
V
DS(ON)
G
FS
C
ISS
C
OSS
C
RSS
Test Conditions
I
DS
= 1 mA
V
DS
= 26 V
V
DS
= 0 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 5 V
V
DS
= 26 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
65
V
1
μ
A
μ
A
1
I
D
= TBD
I
D
= 1 A
I
D
= 1 A
V
DS
= 26 V
V
DS
= 26 V
V
DS
= 26 V
2.5
5.0
V
TBD
V
TBD
mho
f = 1 MHz
TBD
pF
f = 1 MHz
TBD
pF
f = 1 MHz
TBD
pF
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
DYNAMIC
(f = 2000 MHz)
P
1dB
G
PS
η
D
V
DD
= 26 V I
DQ
= TBD
V
DD
= 26 V
V
DD
= 26 V
15
W
I
DQ
= TBD
I
DQ
= TBD
P
OUT
= 15 W
P
OUT
= 15 W
11
13
dB
45
50
%
IMD3
(1)
V
DD
= 26 V
I
DQ
= TBD
P
OUT
= 15 W PEP
-32
-28
dBc
Load
mismatch
V
DD
= 26 V I
DQ
= TBD
ALL PHASE ANGLES
P
OUT
= 15 W
10:1
VSWR
DYNAMIC
(f = 1930 - 1990 MHz)
P
OUT(2)
G
PS
V
DD
= 26 V I
DQ
= TBD
10
15
W
V
DD
= 26 V
I
DQ
= TBD
P
OUT
= 15 W
11
13
dB
η
D(2)
V
DD
= 26 V
I
DQ
= TBD
P
OUT
= 15 W
40
45
%
P
OUT(CDMA)(3)
885 KHz < -47 dBc
1.25 MHz < -55 dBc
2.25 MHz < -55 dBc
885 KHz < -47 dBc
1.25 MHz < -55 dBc
2.25 MHz < -55 dBc
2.5
W
η
D(CDMA)(3)
20
%
(1) f
1
= 2000 MHz, f
2
= 2000.1 MHz
(2) 1 dB Compression point
(3) IS-97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic, Codes 8 Thru 13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LET20030C RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
LET20030S RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
LET21004 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
LET21008 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
LET21030C RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LET20030C 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR Trans Ldmost Family RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET20030S 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
LET20045C 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR trans Ldmost 2.0 GHz N-Ch ENH RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET21004 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
LET21008 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
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