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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LE28DW8102T |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | 8 Megabit FlashBank Memory LE28DW8102T |
| 中文描述： | 8兆FlashBank內(nèi)存LE28DW8102T |
| 文件頁數(shù)： | 12/19頁 |
| 文件大小： | 338K |
| 代理商： | LE28DW8102T |
8 Megabit FlashBank Memory
LE28DW8102T
12
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company 1-1-1 Sakata Oizumi Gunma Japan
R.1.01(2/15/2000) No.xxxx-12/19
Figure 4-2: CE# Controlled Word Program Cycle Timing Diagram
Figure 5-1: Bank Erase Cycle Timing Diagram
808T\808_ENG\F4-2_E
ADDRESS A18-A0
DQ15-DQ0
TDH
TWPH
TDS
TWP
TAH
TAS
TWEH
TWES
WE#
SW0
SW1
SW2
5555
2AAA
5555
ADDR
AA
55
A0
DATA
INTERNAL PROGRAM OPERATION STARTS
TBP
WORD
(ADDR/DATA)
OE#
CE#
808T\808_ENG\F5-1_E
ADDRESS A18-A0
DQ15-DQ0
WE#
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
SW5
5555
2AAA
2AAA
5555
5555
55
10
55
AA
80
AA
5555+B
AX
OE#
CE#
SIX-BYTE CODE FOR BANK ERASE
TBE
TWP
TAH
TAS
TWPH
TDH
TDS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LE28DW8102T-90 | EEPROM |
| LE28F4001C | 4M-Bit (512k 】 8) Flash EEPROM |
| LE28F4001CTS | 4M-Bit (512k 】 8) Flash EEPROM |
| LE28F4001CTS-12 | 4M-Bit (512k 】 8) Flash EEPROM |
| LE28F4001M | 4 MEG (524288 words x 8 bits) Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LE28DW8102T-90 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:EEPROM |
| LE28F1101T-40 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:1M(65536words】16bits) Flash EEPROM |
| LE28F1101T-45 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:1M(65536words】16bits) Flash EEPROM |
| LE28F1101T-55 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:1M(65536words】16bits) Flash EEPROM |
| LE28F1101T-70 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:1M(65536words】16bits) Flash EEPROM |
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