參數(shù)資料
型號: LD261-4
英文描述: Optoelectronic
中文描述: 光電
文件頁數(shù): 1/4頁
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代理商: LD261-4
Semiconductor Group
1
1997-11-01
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
G
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
G
Hohe Zuverlssigkeit
G
Gruppiert lieferbar
G
Gehusegleich mit BPX 81
Anwendungen
G
Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
G
Lochstreifenleser
G
Industrieelektronik
G
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
G
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
G
High reliability
G
Available in bins
G
Same package as BPX 81
Applications
G
Miniature photointerrupters
G
Punched tape readers
G
Industrial electronics
G
For control and drive circuits
LD 261
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
GEO06021
2.4
2.1
0.7
0.6
Collector (BPX 81)
Cathode (LD 261)
2.54 mm spacing
1.5
2.1
2
2
3
3
3
3
1
1
position
Chip
0.25
0.15
1.4
1.0
A
Radiant sensitive area
(0.4 x 0.4)
A
0.4
0.5
0.4
Approx. weight 0.03 g
Detaching area for tools, flash not true to size.
1)
5
...
0
f
Typ
Type
LD 261
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q395
Gehuse
Package
Leiterbandgehuse, klares Epoxy-Gieharz, linsenfr-
mig im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’), Kathodenkennzeich-
nung: Nase am Ltspie
Lead frame, transparent epoxy resin lens, solder tabs
lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode marking: projec-
tion at solder lead
LD 261-5
Q62703-Q67
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PDF描述
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