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參數(shù)資料
| 型號： | LC322271J |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | 2 MEG (131072 words X 16 bits) DRAM Fast Page Mode, Byte Write |
| 中文描述： | 2邁可（131072字× 16位），內(nèi)存快速頁面模式，字節(jié)寫 |
| 文件頁數(shù)： | 5/29頁 |
| 文件大小： | 1151K |
| 代理商： | LC322271J |
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No. 5085-5/29
LC322271J, M, T-70/80
-70
-80
Parameter
Symbol
min
max
min
max
Unit
Note
RAS hold time
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RAD
t
CRP
t
CP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
RAL
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
t
REF
t
WCS
t
CWD
t
RWD
t
AWD
20
30
ns
CAS hold time
70
80
ns
CAS pulse width
20
10000
30
10000
ns
RAS to CAS delay time
25
50
25
50
ns
14
RAS to column address delay time
17
35
17
35
ns
15
CAS to RAS precharge time
10
10
ns
CAS precharge time
10
10
ns
Row address setup time
0
0
ns
Row address hold time
12
12
ns
Column address setup time
0
0
ns
Column address hold time
15
20
ns
Column address hold time referenced to RAS
50
60
ns
Column address to RAS lead time
40
45
ns
Read command setup time
0
0
ns
Read command hold time referenced to CAS
0
0
ns
11
Read command hold time referenced to RAS
0
0
ns
11
Write command hold time
15
15
ns
Write command hold time referenced to RAS
50
60
ns
Write command pulse width
15
15
ns
Write command to RAS lead time
25
25
ns
Write command to CAS lead time
20
20
ns
Data input setup time
0
0
ns
12
Data input hold time
15
20
ns
12
Data input hold time referenced to RAS
50
60
ns
Refresh time
8
8
ms
Write command setup time
0
0
ns
13
CAS to UW, LW delay time
50
50
ns
13
RAS to UW, LW delay time
100
100
ns
13
Column address to UW, LW delay time
65
65
ns
13
CAS precharge UW, LW delay time for fast page mode
cycle only
t
CPWD
70
70
ns
13
CAS setup time for CAS-before-RAS
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CPT
t
ROH
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
DZC
t
DZO
t
MCS
t
MRH
t
MCH
10
10
ns
CAS hold time for CAS-before-RAS
15
15
ns
RAS precharge CAS active time
10
10
ns
CAS precharge time for CAS-before-RAS counter test
40
40
ns
RAS hold time referenced to OE
15
15
ns
OE access time
20
25
ns
9
OE delay time
15
15
ns
OE output buffer turn-off delay time
0
0
15
ns
10
OE command hold time
20
20
ns
Data input to CAS delay time
0
0
ns
16
Data input to OE delay time
0
0
ns
16
Masked write setup time
0
0
ns
Masked write hold time referenced to RAS
0
0
ns
Masked write hold time referenced to CAS
0
0
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LC32464M-80 | 256K (65536 words X 4 bits) DRAM Fast Page Mode |
| LC32464P | 256K (65536 words X 4 bits) DRAM Fast Page Mode |
| LC32A | QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-OR GATES |
| LC331632M-12 | 512K (32768 words X 16 bits) Pseudo-SRAM |
| LC331632M-70 | 512K (32768 words X 16 bits) Pseudo-SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LC322271J-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| LC322271J-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Fast Page Mode DRAM |
| LC322271M | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:2 MEG (131072 words X 16 bits) DRAM Fast Page Mode, Byte Write |
| LC322271M-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| LC322271M-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Fast Page Mode DRAM |
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