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參數(shù)資料
| 型號： | L642DU12RI |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/O⑩ Control |
| 中文描述： | 128兆位（8米× 16位）的CMOS 3.0伏特，只有統(tǒng)一閃存部門與VersatileI /輸出⑩控制 |
| 文件頁數(shù)： | 41/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 520K |
| 代理商： | L642DU12RI |
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May 5, 2006 25022A2
Am29LV642D
39
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Read-Only Operations
Notes:
1. All test setups assume V
IO
= V
CC
.
2. Not 100% tested.
3. See Figure 11 and Table 12 for test specifications
4. CE# can be replaced with CE2# when referring to the second device within the package.
.
Parameter
Description
Test Setup
(Note 1)
Speed Options
JEDEC
Std.
90R
12R
Unit
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 2)
Min
90
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE#, OE# = V
IL
Max
90
120
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE# = V
IL
Max
90
120
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
35
50
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High Z (Note 2)
Max
30
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High Z (Note 2)
Max
30
30
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses, CE# or
OE#, Whichever Occurs First
Min
0
ns
t
OEH
Output Enable Hold
Time (Note 2)
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
t
OH
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE# or CE2#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
RC
t
ACC
t
OEH
t
RH
t
OE
t
RH
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
Figure 13. Read Operation Timings
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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