參數(shù)資料
型號： L640MU90RI
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
元件分類： DRAM
英文描述： 64 Megabit (4 M x 16-Bit) MirrorBita?? 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/Oa?? Control
中文描述： 64Mb(4個M x 16位)的MirrorBit，3V，統(tǒng)一扇區(qū)閃存并有Versatile輸入/輸出控制
文件頁數(shù)： 54/59頁
文件大?。?/td> 699K
代理商： L640MU90RI
52
Am29LV640MU
25301C5 February1,2007
D A T A S H E E T
TSOP PIN AND FINE-PITCH BGA PACKAGE CAPACITANCE
Notes:
1.
2.
Sampled, not 100% tested.
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz.
DATA RETENTION
Parameter Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
TSOP
6
7.5
pF
Fine-pitch BGA
4.2
5.0
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
TSOP
8.5
12
pF
Fine-pitch BGA
5.4
6.5
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
TSOP
7.5
9
pF
Fine-pitch BGA
3.9
4.7
pF
Parameter Description
Test Conditions
Min
Unit
Minimum Pattern Data Retention Time
150
°
C
10
Years
125
°
C
20
Years
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