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參數資料
| 型號： | L408 |
| 廠商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery |
| 中文描述： | HiPerFREDTM外延與軟恢復二極管 |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | L408 |
2004 IXYS All rights reserved
2 - 2
DSEP 8-06B
4
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
200
600
-di
F
/dt
1000
0
400
800
A/
s
40
60
80
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
0
40
80
120
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
C
t
s
K/W
0
200
400
600
di
F
/dt
800
μ
s
1000
0
20
40
60
V
0.0
0.1
0.2
0.3
V
FR
200
600
1000
0
400
800
A/
μ
s
0
2
4
6
8
10
A
100
1000
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
0
5
10
15
20
25
30
I
RM
Q
r
I
F
A
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
V
nC
t
rr
ns
t
fr
Z
thJC
A/
μ
s
μ
s
T
VJ
= 150°C
T
VJ
= 100°C
T
VJ
= 25°C
I
RM
Q
r
V
FR
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300 V
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300 V
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300 V
DSEP 8-06B
t
fr
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
T
VJ
= 100°C
I
F
= 10 A
Fig. 3 Peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 2 Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 1 Forward current I
F
versus V
F
Fig. 4 Dynamic parameters Q
r
, I
RM
versus T
VJ
Fig. 5 Recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 6 Peak forward voltage V
FR
and t
fr
versus di
F
/dt
Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case
NOTE: Fig. 2 to Fig. 6 shows typical values
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
1.449
0.5578
0.4931
t
i
(s)
0.0052
0.0003
0.0169
1
2
3
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