參數(shù)資料
型號: KSP2907ATA
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP General Purpose Amplifier
中文描述: 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大小: 111K
代理商: KSP2907ATA
3
www.fairchildsemi.com
KSP2907A Rev. E
K
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Output Capacitance
Figure 4. Current Gain Bandwidth Product
-1
-10
-100
-1000
10
100
1000
V
CE
= -10V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
I
C
= 10 I
B
V
B
(
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
0.1
1
10
100
I
E
= 0
f = 1MHz
C
o
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
-1
-10
-100
-1000
10
100
1000
V
CE
= -20V
f
T
[
C
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
相關PDF資料
PDF描述
KSP2907ATF PNP General Purpose Amplifier
KSQ30A06 Schottky Barrier Diode
KSQ60A03LB Low Forward Voltage Drop Low Power Loss, High Efficiency, High Surge Current Capability
KSQ60A06B Schottky Barrier Diode
KSQ60A06E Schottky Barrier Diode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
KSP2907ATF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSP2907BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSP2907TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSP2E10-6P20 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:KSP2E10-6P20 - Bulk
KSP2E14-5P 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:KSP2E14-5P - Bulk