型號(hào): | KSE700 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類(lèi): | 功率晶體管 |
英文描述: | Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |
中文描述: | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
封裝: | TO-126, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 3/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 52K |
代理商: | KSE700 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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KSE701 | Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |
KSE703 | Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |
KSE800 | NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
KSE801 | NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
KSE802 | NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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KSE700S | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
KSE700STU | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
KSE701 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |
KSE701STU | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
KSE702 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |