參數(shù)資料
型號(hào)： KSE700
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
中文描述： 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 52K
代理商： KSE700
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
K
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Collector Output Capacitance
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
-0
-1
-2
-3
-4
-5
-0
-1
-2
-3
-4
-5
I
B
= -400
μ
s
I
B
= -300
μ
s
I
B
= -1000
μ
s
I
= -900
μ
s
I
B
= -800
μ
s
I
B
= -700
μ
s
I
B
= -600
μ
s
I
B
= -500
μ
s
I
B
= -200
μ
s
I
B
= -100
μ
s
I
C
[
V
CE
(V),COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
-0.01
-0.1
-1
-10
10
100
1k
10k
V
CE
= -3V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.1
-1
-10
-100
I
C
= 500 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
1
10
100
1000
f=0.1MHZ
I
E
=0
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
-1
-10
-100
-1000
-0.1
-1
-10
-100
MJE702/703
DC
5ms
1ms
MJE700/701
100
μ
s
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSE701 Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
KSE703 Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
KSE800 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
KSE801 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
KSE802 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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KSE700STU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSE701 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
KSE701STU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSE702 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
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