參數(shù)資料
型號： KSE802
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： KSE802
NPN EPITAXIAL
KSE800/801/803 SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
HIGH DC CURRENT GAIN
MIN h
FE
= 750 @I
C
= 1.5 and 2.0A DC
MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH
BUILT-IN BASE-EMITTER RESISTORS
Complement to KSE700/701/702/703
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
=25
°
C)
Characteristic
Symbol
V
CBO
Rating
Unit
Collector- Base Voltage
: KSE800/801
: KSE802/803
Collector-Emitter Voltage
: KSE800/801
: KSE802/803
Emitter- Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
STG
60
80
60
80
5
4
0.1
40
150
-55 ~ 150
V
V
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Characteristic
Symbol
BV
CEO
Test Condition
I
C
= 50mA, I
B
= 0
Min
Max
Unit
Collector Emitter Breakdown Voltage
: KSE800/801
: KSE802/803
Collector Cutoff Current
: KSE800/801
: KSE802/803
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain : KSE800/802
: KSE801/803
: ALL DEVICES
Collector-Emitter Saturation Voltage
: KSE800/802
: KSE801/803
: ALL DEVICES
Base-Emitter On Voltage
: KSE800/802
: KSE801/803
: ALL DEVICES
I
CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
V
CE
= 60V, I
B
= 0
V
CE
= 80V, I
B
= 0
V
CB
= Rated BV
CEO
, I
E
= 0
V
CB
= Rated BV
CEO
, I
E
= 0
T
C
= 100
°
C
V
BE
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 3V, I
C
= 1.5A
V
CE
= 3V, I
C
= 2A
V
CE
= 3V, I
C
= 4A
I
C
= 1.5A, I
B
= 30mA
I
C
= 2A, I
B
= 40mA
I
C
= 4A, I
B
= 40mA
V
CE
= 3V, I
C
= 1.5A
V
CE
= 3V, I
C
= 2A
V
CE
= 3V, I
C
= 4A
60
80
750
750
100
100
100
100
500
2
2.5
2.8
3
1.2
2.5
3
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
mA
V
V
V
V
V
V
TO-126
1. Emitter 2. Collector 3. Base
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關PDF資料
PDF描述
KSE803 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
KSF30A20B Low Forward Voltage drop Diode
KSF30A20E DIFFUSION-TYPE SILICON DIODE
KSF30A40B Low Forward Voltage drop Diode
KSF30A40E FRD
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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KSE803STU 功能描述:達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSE8355T 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose and Switching Applications
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