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參數資料
| 型號： | KSE13003 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Switch Mode Applications |
| 中文描述： | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | KSE13003 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
K
Rev. B1, December 2002
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Switching Time
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
0
1
2
3
4
5
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
B
= 0mA
I
B
= 100mA
I
B
= 150mA
I
B
= 200mA
I
B
= 50mA
B
= 250mA
I
B
=I
I
B
= 400mA
I
B
= 450mA
I
B
= 500mA
I
B
= 350mA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
V
CE
= 2V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 4 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
0.01
0.1
1
10
t
STG
t
F
t
S
,
F
[
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
μ
s
10
μ
s
1m
5m
I
C
MAX. (pulse)
I
C
MAX. (DC)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
30
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSE13004 | High Voltage Switch Mode Application |
| KSE13005H2ATU | High Voltage Switch Mode Application |
| KSE13005FH2TU | High Voltage Switch Mode Application |
| KSE13005 | High Voltage Switch Mode Application |
| KSE13005F | High Voltage Switch Mode Application |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KSE13003_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
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| KSE13003-AS | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| KSE13003ASTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSE13003H1AS | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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