參數(shù)資料
型號(hào)： KSE13005F
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Switch Mode Application
中文描述： 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 48K
代理商： KSE13005F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, January 2001
K
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage : KSE13004
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
(sus)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
* Pulse test: PW
≤
300
μ
s, Duty cycle
≤
2% Pulse
Parameter
Value
600
700
300
400
9
4
8
2
75
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
: KSE13005
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: KSE13004
: KSE13005
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
: KSE13004
: KSE13005
I
C
= 10mA, I
B
= 0
300
400
V
V
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-off Current
*DC Current Gain
*Collector-Emitter Saturation Voltage
V
EB
= 9V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 1A
V
CE
= 5V, I
C
= 2A
I
C
= 1A, I
B
= 0.2A
I
C
= 2A, I
B
= 0.5A
I
C
= 4A, I
B
= 1A
I
C
= 1A, I
B
= 0.2A
I
C
= 2A, I
B
= 0.5A
V
CB
= 10V, f = 0.1MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 0.5A
V
CC
= 125V, I
C
= 2A
I
B1
= - I
B2
= 0.4A
R
L
= 62.5
1
60
40
0.5
0.6
1
1.2
1.6
mA
10
8
V
CE
(sat)
V
V
V
V
V
pF
MHz
μ
s
μ
s
μ
s
V
BE
(sat)
*Base-Emitter Saturation Voltage
C
ob
f
T
t
ON
t
STG
t
F
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
Turn On Time
Storage Time
Fall Time
65
4
0.8
4
0.9
KSE13004/13005
High Voltage Switch Mode Application
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSE13006 High Voltage Switch Mode Application
KSE13007 High Voltage Switch Mode Application
KSE340 High Voltage General Purpose Applications
KSE45H1 General Purpose Power Switching Applications
KSE45H10 General Purpose Power Switching Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSE13005FH1 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005FH1TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005FH2 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005FH2TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE13005FTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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